urn-on and turn-off gate losses. Most of the power is in the MOSFET gate driver. Gatedrive losses are frequency dependent and are also a function of the gate capacitance of the MOSFETs. When turning the MOSFET on and off, the higher the switching frequency, the higher the gate-drive losses. This is another reason why efficiency goes down as the switching frequency goes up.

CVTE电源工程师面试题

（1）说说你的项目，你具体负责那一块？
（2）说说比较器和放大器的区别？
（3）过零检测与软件过零有何优缺点？

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1、mos的米勒平台是如何形成的？
2、开关为什么一般选用MOS而不是三极管？mos与三极管的区别
3、比较器与放大器的区别

cvte电源工程师面试题

1、mos的米勒平台是如何形成的？
2、开关为什么一般选用MOS而不是三极管？mos与三极管的区别
3、比较器与放大器的区别

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技术1面，电话面试，问运算放大器的基本特性:虚短虚断，问正弦逆变电源的mos管开关周期，问趋肤效应什么意思。

CVTE电源工程师面试题

问运算放大器的基本特性:虚短虚断，问正弦逆变电源的mos管开关周期，问趋肤效应什么意思。

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